Žíhaný semiizolační InP typu p připravený technikou Czochralského s Cu v tavenině

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F06%3A00040565" target="_blank" >RIV/67985882:_____/06:00040565 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Annealed semi-insulating p-type InP grown by Czochralski technique with Cu in the melt

Popis výsledku v původním jazyce

InP crystals were grown by Czochralski technique with admixture of Cu in the melt. Samples of as grown crystals were of n-type conductivity, and the estimated concentration of active Cu was smaller than 5x1015 cm-3. The samples were converted to p-type semi-insulating state by annealing. The annealed samples were investigated by temperature dependent Hall measurement and low-temperature Fourier transform infrared absorption. New peaks around 2100 cm-1 were interpreted as due to Cu2+ 3d internal transitions.

Název v anglickém jazyce

Annealed semi-insulating p-type InP grown by Czochralski technique with Cu in the melt

Popis výsledku anglicky

InP crystals were grown by Czochralski technique with admixture of Cu in the melt. Samples of as grown crystals were of n-type conductivity, and the estimated concentration of active Cu was smaller than 5x1015 cm-3. The samples were converted to p-type semi-insulating state by annealing. The annealed samples were investigated by temperature dependent Hall measurement and low-temperature Fourier transform infrared absorption. New peaks around 2100 cm-1 were interpreted as due to Cu2+ 3d internal transitions.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductor Science and Technology

ISSN

0268-1242

e-ISSN

—

Svazek periodika

21

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1256-1260

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—