Vše
Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Výzkum mědí dopovaných monokrystalů InP pěstovaných technikou Czochralského

Popis výsledku

Czochralského metodou byly vypěstovány InP krystaly dopované mědí. Vypěstované krystaly měly vodivost typu n a odhadnutou koncentraci mědi menší než 5x1015 cm-3. Po žíhání při 500o C a rychlém zchlazení na pokojovou teplotu byly vzorky konvertovány do semiizolačního stavu typu p. Energie akceptoru mědi zodpovědného za semiizolační stav byla určena teplotně závislým Hallovým měřením jako 0,29 eV v souhlase s měřením nízkoteplotní fotoluminiscenční spektroskopií.

Klíčová slova

radiation detectionsemiconductor dopingcrystal growth

Identifikátory výsledku

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Investigation of cooper doped InP single crystals grown by the Czochralski technique

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Copper doped InP crystals were further grown by Czochralski technique. The as-grown crystals were of n-type conductivity with the estimated concentration of copper smaller than 5x1015 cm-3. The samples were converted to p-type semi-insulating state afterannealing at 500o C and quenched to room temperature. The energy of cooper akceptor causing the semi-insulating state was determined by temperature dependent Hall measurements as 0.29 eV in agreement with the low temperature photoluminescence spectroscopy measurement.

  • Název v anglickém jazyce

    Investigation of cooper doped InP single crystals grown by the Czochralski technique

  • Popis výsledku anglicky

    Copper doped InP crystals were further grown by Czochralski technique. The as-grown crystals were of n-type conductivity with the estimated concentration of copper smaller than 5x1015 cm-3. The samples were converted to p-type semi-insulating state afterannealing at 500o C and quenched to room temperature. The energy of cooper akceptor causing the semi-insulating state was determined by temperature dependent Hall measurements as 0.29 eV in agreement with the low temperature photoluminescence spectroscopy measurement.

Klasifikace

  • Druh

    Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica Status Solidi a

  • ISSN

    0031-8965

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    202

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    555-560

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus

Druh výsledku

Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

Jx

CEP

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

Rok uplatnění

2005