Charakterizace epitaxních vrstev InP, vhodných pro detekci ionizujícího záření
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105961" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00105961 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection
Popis výsledku v původním jazyce
InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and europium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall measurements. All layers exhibit the change of electrical conductivity from n to p at certain RE concentration in the melt.
Název v anglickém jazyce
Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection
Popis výsledku anglicky
InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and europium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall measurements. All layers exhibit the change of electrical conductivity from n to p at certain RE concentration in the melt.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
ISBN
0-7803-8535-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
247-250
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Smolenice
Datum konání akce
17. 10. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—