Růst a charakterizace InAs vrstev získaných metodou kapalně-fázní epitaxe z 100% bismutových roztoků
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F06%3A00043982" target="_blank" >RIV/67985882:_____/06:00043982 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents
Popis výsledku v původním jazyce
We report the first liquid epitaxial growth of InAs layers from 100%Bi solvent. XRD measurements reveal perfect lattice matching between layer and substrate and < 0.07 % substitutional Bi content in the layers. Raman, Infrared spectroscopy and photoluminescence spectroskopy point on background electron concentration below the Mott critical density i.e. ?5x1014 cm-3. The low background electron concentration is attributed to the presumably very low solubility of Si in Bi. Si is the main dopant in InAs.
Název v anglickém jazyce
Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents
Popis výsledku anglicky
We report the first liquid epitaxial growth of InAs layers from 100%Bi solvent. XRD measurements reveal perfect lattice matching between layer and substrate and < 0.07 % substitutional Bi content in the layers. Raman, Infrared spectroscopy and photoluminescence spectroskopy point on background electron concentration below the Mott critical density i.e. ?5x1014 cm-3. The low background electron concentration is attributed to the presumably very low solubility of Si in Bi. Si is the main dopant in InAs.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ME%20697" target="_blank" >ME 697: Tvorba a charakterizace samoorganizovaných pórů v heterostrukturách InGaP/GaAs.</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Semiconductor Science and Technology
ISSN
0268-1242
e-ISSN
—
Svazek periodika
21
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
544-549
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—