Polovodičové struktury na bázi InP pro detekci záření
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F08%3A00083003" target="_blank" >RIV/67985882:_____/08:00083003 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
InP based semioconductor structures for radiation detection
Popis výsledku v původním jazyce
We report the preparation of SI p-type conductivity InP single crystals and pure p-type InP layers for radiation detectors. We focus on (i) the growth of p-type InP single crystals by the Czochralski technique with Cu admixture and their subsequent temperature annealing to convert them to p-type SI state, and (ii) the growth of thick (> 10?m) p-type InP layers by LPE method with the addition of Pr, Dy and Tb2O3. Three types of detection structures were designed and their characteristics have been compared.
Název v anglickém jazyce
InP based semioconductor structures for radiation detection
Popis výsledku anglicky
We report the preparation of SI p-type conductivity InP single crystals and pure p-type InP layers for radiation detectors. We focus on (i) the growth of p-type InP single crystals by the Czochralski technique with Cu admixture and their subsequent temperature annealing to convert them to p-type SI state, and (ii) the growth of thick (> 10?m) p-type InP layers by LPE method with the addition of Pr, Dy and Tb2O3. Three types of detection structures were designed and their characteristics have been compared.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0153" target="_blank" >GA102/06/0153: Využití specifických vlastností vzácných zemin při přípravě detektorových struktur na bázi InP</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Materials Science-Materials in Electronics
ISSN
0957-4522
e-ISSN
—
Svazek periodika
19
Číslo periodika v rámci svazku
8/9
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
700-775
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—