Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Polovodičové struktury na bázi InP pro detekci záření

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F08%3A00083003" target="_blank" >RIV/67985882:_____/08:00083003 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    InP based semioconductor structures for radiation detection

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We report the preparation of SI p-type conductivity InP single crystals and pure p-type InP layers for radiation detectors. We focus on (i) the growth of p-type InP single crystals by the Czochralski technique with Cu admixture and their subsequent temperature annealing to convert them to p-type SI state, and (ii) the growth of thick (> 10?m) p-type InP layers by LPE method with the addition of Pr, Dy and Tb2O3. Three types of detection structures were designed and their characteristics have been compared.

  • Název v anglickém jazyce

    InP based semioconductor structures for radiation detection

  • Popis výsledku anglicky

    We report the preparation of SI p-type conductivity InP single crystals and pure p-type InP layers for radiation detectors. We focus on (i) the growth of p-type InP single crystals by the Czochralski technique with Cu admixture and their subsequent temperature annealing to convert them to p-type SI state, and (ii) the growth of thick (> 10?m) p-type InP layers by LPE method with the addition of Pr, Dy and Tb2O3. Three types of detection structures were designed and their characteristics have been compared.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0153" target="_blank" >GA102/06/0153: Využití specifických vlastností vzácných zemin při přípravě detektorových struktur na bázi InP</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Materials Science-Materials in Electronics

  • ISSN

    0957-4522

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    19

  • Číslo periodika v rámci svazku

    8/9

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    700-775

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus