Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

On the effect of oxygen flooding on the detection of noble gas ions in a SIMS instrument

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F10%3A00349994" target="_blank" >RIV/67985882:_____/10:00349994 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    On the effect of oxygen flooding on the detection of noble gas ions in a SIMS instrument

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We have investigated the report by Desgranges and Pasquet (2004) [1] that O2 gas flooding in a secondary ion mass spectrometer could enhance by a factor of about 5 the Xe+ ion yield for a Xe implant in UO2 sputtered by O2+ primary ions. For a Xe implantin Si sputtered by O2+ primary ions and for Xe+ sputtering of silicon in steady state, O2 gas flooding reduced the Xe+ ion signal by a factor of about 2, presumably due to loss of Xe+ by resonant charge exchange with gas-phase oxygen molecules. The yieldof a Kr co-implant in Si was unaffected by oxygen flooding. However, we demonstrate that for steady-state Ar+ sputtering of uranium, the Ar+ ion yield can be increased by a factor of 1.7 by oxygen flooding.

  • Název v anglickém jazyce

    On the effect of oxygen flooding on the detection of noble gas ions in a SIMS instrument

  • Popis výsledku anglicky

    We have investigated the report by Desgranges and Pasquet (2004) [1] that O2 gas flooding in a secondary ion mass spectrometer could enhance by a factor of about 5 the Xe+ ion yield for a Xe implant in UO2 sputtered by O2+ primary ions. For a Xe implantin Si sputtered by O2+ primary ions and for Xe+ sputtering of silicon in steady state, O2 gas flooding reduced the Xe+ ion signal by a factor of about 2, presumably due to loss of Xe+ by resonant charge exchange with gas-phase oxygen molecules. The yieldof a Kr co-implant in Si was unaffected by oxygen flooding. However, we demonstrate that for steady-state Ar+ sputtering of uranium, the Ar+ ion yield can be increased by a factor of 1.7 by oxygen flooding.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B

  • ISSN

    0168-583X

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    268

  • Číslo periodika v rámci svazku

    17-18

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000281498900033

  • EID výsledku v databázi Scopus