Particle detectors based on semiconducting InP epitaxial layers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F11%3A00368041" target="_blank" >RIV/67985882:_____/11:00368041 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/6/01/C01072" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/6/01/C01072</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/6/01/C01072" target="_blank" >10.1088/1748-0221/6/01/C01072</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Particle detectors based on semiconducting InP epitaxial layers
Popis výsledku v původním jazyce
In this work, we present study of electrical properties and detection performance of two types of InP detector structures: (i) with p-n-junction and (ii) with Schottky contact prepared on high purity p-type InP. The p-n junction detectors were based on ahigh purity InP:Pr layers of both n- and p- type conductivity with carrier concentration on the order of 1014 cm-3 grown on Sn doped n-type substrate. Schottky barrier detectors were prepared by vacuum evaporation of Pd on high purity p-type epitaxial layer grown on Mn doped p-type substrate. The detection performance of particle detectors was measured by pulse-height spectra with alpha particles emitted from 241Am source at room temperature.
Název v anglickém jazyce
Particle detectors based on semiconducting InP epitaxial layers
Popis výsledku anglicky
In this work, we present study of electrical properties and detection performance of two types of InP detector structures: (i) with p-n-junction and (ii) with Schottky contact prepared on high purity p-type InP. The p-n junction detectors were based on ahigh purity InP:Pr layers of both n- and p- type conductivity with carrier concentration on the order of 1014 cm-3 grown on Sn doped n-type substrate. Schottky barrier detectors were prepared by vacuum evaporation of Pd on high purity p-type epitaxial layer grown on Mn doped p-type substrate. The detection performance of particle detectors was measured by pulse-height spectra with alpha particles emitted from 241Am source at room temperature.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Instrumentation
ISSN
1748-0221
e-ISSN
—
Svazek periodika
6
Číslo periodika v rámci svazku
—
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
"C010721"-"C010725"
Kód UT WoS článku
000291345600077
EID výsledku v databázi Scopus
—