Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Particle detectors based on semiconducting InP epitaxial layers

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F11%3A00368041" target="_blank" >RIV/67985882:_____/11:00368041 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/6/01/C01072" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/6/01/C01072</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/6/01/C01072" target="_blank" >10.1088/1748-0221/6/01/C01072</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Particle detectors based on semiconducting InP epitaxial layers

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this work, we present study of electrical properties and detection performance of two types of InP detector structures: (i) with p-n-junction and (ii) with Schottky contact prepared on high purity p-type InP. The p-n junction detectors were based on ahigh purity InP:Pr layers of both n- and p- type conductivity with carrier concentration on the order of 1014 cm-3 grown on Sn doped n-type substrate. Schottky barrier detectors were prepared by vacuum evaporation of Pd on high purity p-type epitaxial layer grown on Mn doped p-type substrate. The detection performance of particle detectors was measured by pulse-height spectra with alpha particles emitted from 241Am source at room temperature.

  • Název v anglickém jazyce

    Particle detectors based on semiconducting InP epitaxial layers

  • Popis výsledku anglicky

    In this work, we present study of electrical properties and detection performance of two types of InP detector structures: (i) with p-n-junction and (ii) with Schottky contact prepared on high purity p-type InP. The p-n junction detectors were based on ahigh purity InP:Pr layers of both n- and p- type conductivity with carrier concentration on the order of 1014 cm-3 grown on Sn doped n-type substrate. Schottky barrier detectors were prepared by vacuum evaporation of Pd on high purity p-type epitaxial layer grown on Mn doped p-type substrate. The detection performance of particle detectors was measured by pulse-height spectra with alpha particles emitted from 241Am source at room temperature.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Instrumentation

  • ISSN

    1748-0221

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    6

  • Číslo periodika v rámci svazku

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    "C010721"-"C010725"

  • Kód UT WoS článku

    000291345600077

  • EID výsledku v databázi Scopus