Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F12%3A00387641" target="_blank" >RIV/67985882:_____/12:00387641 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21340/12:00369349
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth
Popis výsledku v původním jazyce
We report on the electrochemical preparation of porous GaAs substrates suited for the lattice mismatched epitaxial growth. We show that surfaces with different pore diameter, pore spacing and surface roughness can be achieved by careful selection of theetching regime, electrolyte, and substrate
Název v anglickém jazyce
Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth
Popis výsledku anglicky
We report on the electrochemical preparation of porous GaAs substrates suited for the lattice mismatched epitaxial growth. We show that surfaces with different pore diameter, pore spacing and surface roughness can be achieved by careful selection of theetching regime, electrolyte, and substrate

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GAP108%2F10%2F0253" target="_blank" >GAP108/10/0253: Kompenzace neizoperiodičnosti v heteropřechodech na mikro a nanoporézních polovodičích A3B5 a depozice kovů a polovodičů do mikropórů</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)