Epitaxial growth on porous GaAs substrates

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00396713" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00396713 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/67985882:_____/13:00396713 RIV/68407700:21340/13:00216431

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.crci.2012.06.012" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.crci.2012.06.012</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.crci.2012.06.012" target="_blank" >10.1016/j.crci.2012.06.012</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Epitaxial growth on porous GaAs substrates

Popis výsledku v původním jazyce

We report on the electrochemical preparation of porous GaAs substrates in fluoride-iodide aqueous electrolytes for the lattice mismatched epitaxial growth from the vapor phase. The aim is to gain control over the uniformity of the pore nucleation layer and pore branching below this layer to achieve structures with a high degree of porosity and periodicity while leaving minimum damage on the substrate surface. Layers of InxGa1-x,As with varying In content are grown on GaAs substrates with different poregeometries and depths. Substantial differences in the surface morphology and photoluminescence efficiency of the layers grown on porous and conventional substrates are observed

Název v anglickém jazyce

Epitaxial growth on porous GaAs substrates

Popis výsledku anglicky

We report on the electrochemical preparation of porous GaAs substrates in fluoride-iodide aqueous electrolytes for the lattice mismatched epitaxial growth from the vapor phase. The aim is to gain control over the uniformity of the pore nucleation layer and pore branching below this layer to achieve structures with a high degree of porosity and periodicity while leaving minimum damage on the substrate surface. Layers of InxGa1-x,As with varying In content are grown on GaAs substrates with different poregeometries and depths. Substantial differences in the surface morphology and photoluminescence efficiency of the layers grown on porous and conventional substrates are observed

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Comptes Rendus Chimie

ISSN

1631-0748

e-ISSN

—

Svazek periodika

16

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

FR - Francouzská republika

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

59-64

Kód UT WoS článku

000316511400010

EID výsledku v databázi Scopus

—