Applications of porous III-V semiconductors in heteroepitaxial growth and in preparation of nanocomposite structures

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00374724" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00374724 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985882:_____/11:00374724
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Applications of porous III-V semiconductors in heteroepitaxial growth and in preparation of nanocomposite structures
Popis výsledku v původním jazyce
We investigate the concept of epitaxial growth on porous substrates Both crystalographically oriented and current line oriented pore networks in InP and GaAs were created by electrochemical dissolution. Heat treatment of InP pores at 650 ?C and GaAs pores at 700-850?C converted them into microcavities. The capability of improved structural quality homo- and hetero-epitaxially overgrown films is demonstrated on InAs and GaInAs layers with a different composition grown on porous GaAs substrates
Název v anglickém jazyce
Applications of porous III-V semiconductors in heteroepitaxial growth and in preparation of nanocomposite structures
Popis výsledku anglicky
We investigate the concept of epitaxial growth on porous substrates Both crystalographically oriented and current line oriented pore networks in InP and GaAs were created by electrochemical dissolution. Heat treatment of InP pores at 650 ?C and GaAs pores at 700-850?C converted them into microcavities. The capability of improved structural quality homo- and hetero-epitaxially overgrown films is demonstrated on InAs and GaInAs layers with a different composition grown on porous GaAs substrates

Projekt
<a href="/cs/project/GAP108%2F10%2F0253" target="_blank" >GAP108/10/0253: Kompenzace neizoperiodičnosti v heteropřechodech na mikro a nanoporézních polovodičích A3B5 a depozice kovů a polovodičů do mikropórů</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
NANOCON 2011, Conference Proceedings, 3 rd International Conference
ISBN
978-80-87294-27-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
150-154
Název nakladatele
TANGER Ltd., Ostrava
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
21. 9. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000306686700021

Podobné výsledky(10)