EPITAXIAL OVERGROWTH OF InP and GaAs MICROPORES, MICROCAVITIES AND MICROLAMELLAS BY InAs AND InGaAs

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00356059" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00356059 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/67985882:_____/10:00356059

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

EPITAXIAL OVERGROWTH OF InP and GaAs MICROPORES, MICROCAVITIES AND MICROLAMELLAS BY InAs AND InGaAs

Popis výsledku v původním jazyce

Structural and optical properties of micro and nano-porous InP and GaAs substrates used for an epitaxial overgrowth of thin films were investigated. Both crystalographically oriented (CO) and current line oriented (CLO) pore networks were created by electrochemical dissolution. Heat treatment of InP pores at 650oC and GaAs pores at 750-850oC converted them into microcavities The capability of improved structural quality homo- and hetero-epitaxially overgrown films on the porous InP, was also demonstrated by LPE growth of InP and InAs and GaInAs on GaAs by MOVPE technology.

Název v anglickém jazyce

EPITAXIAL OVERGROWTH OF InP and GaAs MICROPORES, MICROCAVITIES AND MICROLAMELLAS BY InAs AND InGaAs

Popis výsledku anglicky

Structural and optical properties of micro and nano-porous InP and GaAs substrates used for an epitaxial overgrowth of thin films were investigated. Both crystalographically oriented (CO) and current line oriented (CLO) pore networks were created by electrochemical dissolution. Heat treatment of InP pores at 650oC and GaAs pores at 750-850oC converted them into microcavities The capability of improved structural quality homo- and hetero-epitaxially overgrown films on the porous InP, was also demonstrated by LPE growth of InP and InAs and GaInAs on GaAs by MOVPE technology.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

CONFERENCE PROCEEDINGS NANOCON 2010

ISBN

978-80-87294-19-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

28-33

Název nakladatele

TANGER

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Olomouc

Datum konání akce

12. 10. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000286656400004