Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F12%3A00369349" target="_blank" >RIV/68407700:21340/12:00369349 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/67985882:_____/12:00387641

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1002/pssc.201200009" target="_blank" >https://doi.org/10.1002/pssc.201200009</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201200009" target="_blank" >10.1002/pssc.201200009</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth

Popis výsledku v původním jazyce

We report on the electrochemical preparation of porous GaAs substrates suited for the lattice mismatched epitaxial growth from the liquid and vapour phase The aim is to gain control over the uniformity of the pore nucleation layer and pore branching below this layer to achieve structures with a high degree of porosity and periodicity. The etching process should be surface-friendly and leave minimum damage on the substrate surface to be ready for the subsequent epitaxial growth. We show that surfaces with different pore diameter, pore spacing and surface roughness can be achieved by careful selection of the etching regime, electrolyte, and substrate. Moreover, the pore depth, pore density and pore branching can be tailored to comply with the subsequent epitaxial growth.

Název v anglickém jazyce

Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth

Popis výsledku anglicky

We report on the electrochemical preparation of porous GaAs substrates suited for the lattice mismatched epitaxial growth from the liquid and vapour phase The aim is to gain control over the uniformity of the pore nucleation layer and pore branching below this layer to achieve structures with a high degree of porosity and periodicity. The etching process should be surface-friendly and leave minimum damage on the substrate surface to be ready for the subsequent epitaxial growth. We show that surfaces with different pore diameter, pore spacing and surface roughness can be achieved by careful selection of the etching regime, electrolyte, and substrate. Moreover, the pore depth, pore density and pore branching can be tailored to comply with the subsequent epitaxial growth.

Druh

J_SC - Článek v periodiku v databázi SCOPUS

CEP obor

—

OECD FORD obor

21001 - Nano-materials (production and properties)

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi (c)

ISSN

1862-6351

e-ISSN

—

Svazek periodika

9

Číslo periodika v rámci svazku

7

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

1531-1533

Kód UT WoS článku

000306479300001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84864020138