Sputtering of a silicon surface: Preferential sputtering of surface impurities

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F13%3A00396645" target="_blank" >RIV/67985882:_____/13:00396645 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2012.09.023" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2012.09.023</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2012.09.023" target="_blank" >10.1016/j.nimb.2012.09.023</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Sputtering of a silicon surface: Preferential sputtering of surface impurities

Popis výsledku v původním jazyce

We present molecular-dynamics simulations of the sputtering of an impurity atom off a Si 2 x 1 (100) surface by 2 keV Ar ions. The impurity is characterized by its mass and its binding energy to the Si substrate. We find that sputtering strongly decreases with the mass and even more strongly with the binding energy of the impurity atom to the matrix. The velocity of the impurity perpendicular to the surface is reduced with increasing impurity mass and binding energy. In terms of available ionization theories we can conclude that heavier impurities will have a smaller ionization probability

Název v anglickém jazyce

Sputtering of a silicon surface: Preferential sputtering of surface impurities

Popis výsledku anglicky

We present molecular-dynamics simulations of the sputtering of an impurity atom off a Si 2 x 1 (100) surface by 2 keV Ar ions. The impurity is characterized by its mass and its binding energy to the Si substrate. We find that sputtering strongly decreases with the mass and even more strongly with the binding energy of the impurity atom to the matrix. The velocity of the impurity perpendicular to the surface is reduced with increasing impurity mass and binding energy. In terms of available ionization theories we can conclude that heavier impurities will have a smaller ionization probability

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B

ISSN

0168-583X

e-ISSN

—

Svazek periodika

—

Číslo periodika v rámci svazku

303

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

205-208

Kód UT WoS článku

000320151600048

EID výsledku v databázi Scopus

—