Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F14%3A00428559" target="_blank" >RIV/67985882:_____/14:00428559 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/29/4/045017" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/29/4/045017</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/29/4/045017" target="_blank" >10.1088/0268-1242/29/4/045017</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Electrical properties of highly rectifying Pt/InP junctions fabricated by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles are investigated at different temperatures by the measurement of current-voltage and capacitance-voltage characteristics. The forwardI-V characteristics of the junction are described by thermionic emissions theory at low forward bias (3kT/q < V < 0.2 V) and by tunnelling current transport through the narrowed space charge region at forward bias V > 0.2 V. The reverse I-V characteristics are analysed in the scope of the thermionic emission model in the presence of shunt resistance. Electrical characteristics of these diodes are sensitive to gas mixtures with a low hydrogen concentration and show an extremely fast response and recovery time

  • Název v anglickém jazyce

    Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles

  • Popis výsledku anglicky

    Electrical properties of highly rectifying Pt/InP junctions fabricated by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles are investigated at different temperatures by the measurement of current-voltage and capacitance-voltage characteristics. The forwardI-V characteristics of the junction are described by thermionic emissions theory at low forward bias (3kT/q < V < 0.2 V) and by tunnelling current transport through the narrowed space charge region at forward bias V > 0.2 V. The reverse I-V characteristics are analysed in the scope of the thermionic emission model in the presence of shunt resistance. Electrical characteristics of these diodes are sensitive to gas mixtures with a low hydrogen concentration and show an extremely fast response and recovery time

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LD12014" target="_blank" >LD12014: Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Semiconductor Science and Technology

  • ISSN

    0268-1242

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    29

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000333275600019

  • EID výsledku v databázi Scopus