Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F14%3A00428559" target="_blank" >RIV/67985882:_____/14:00428559 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/29/4/045017" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/29/4/045017</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/29/4/045017" target="_blank" >10.1088/0268-1242/29/4/045017</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles
Popis výsledku v původním jazyce
Electrical properties of highly rectifying Pt/InP junctions fabricated by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles are investigated at different temperatures by the measurement of current-voltage and capacitance-voltage characteristics. The forwardI-V characteristics of the junction are described by thermionic emissions theory at low forward bias (3kT/q < V < 0.2 V) and by tunnelling current transport through the narrowed space charge region at forward bias V > 0.2 V. The reverse I-V characteristics are analysed in the scope of the thermionic emission model in the presence of shunt resistance. Electrical characteristics of these diodes are sensitive to gas mixtures with a low hydrogen concentration and show an extremely fast response and recovery time
Název v anglickém jazyce
Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles
Popis výsledku anglicky
Electrical properties of highly rectifying Pt/InP junctions fabricated by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles are investigated at different temperatures by the measurement of current-voltage and capacitance-voltage characteristics. The forwardI-V characteristics of the junction are described by thermionic emissions theory at low forward bias (3kT/q < V < 0.2 V) and by tunnelling current transport through the narrowed space charge region at forward bias V > 0.2 V. The reverse I-V characteristics are analysed in the scope of the thermionic emission model in the presence of shunt resistance. Electrical characteristics of these diodes are sensitive to gas mixtures with a low hydrogen concentration and show an extremely fast response and recovery time
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LD12014" target="_blank" >LD12014: Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Semiconductor Science and Technology
ISSN
0268-1242
e-ISSN
—
Svazek periodika
29
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000333275600019
EID výsledku v databázi Scopus
—