High-resolution synchrotron diffraction study of porous buffer InP(001) layers

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F14%3A00436000" target="_blank" >RIV/67985882:_____/14:00436000 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1107/S1600576714016392" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1107/S1600576714016392</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1107/S1600576714016392" target="_blank" >10.1107/S1600576714016392</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

High-resolution synchrotron diffraction study of porous buffer InP(001) layers

Popis výsledku v původním jazyce

X-ray reciprocal space mapping was used for quantitative investigation of porous layers in indium phosphide. A new theoretical model in the frame of the statistical dynamical theory for cylindrical pores was developed and applied for numerical data evaluation. The analysis of reciprocal space maps provided comprehensive information on a wide range of the porous layer parameters, for example, layer thickness and porosity, orientation, and correlation length of segmented pore structures. The results are in a good agreement with scanning electron microscopy data

Název v anglickém jazyce

High-resolution synchrotron diffraction study of porous buffer InP(001) layers

Popis výsledku anglicky

X-ray reciprocal space mapping was used for quantitative investigation of porous layers in indium phosphide. A new theoretical model in the frame of the statistical dynamical theory for cylindrical pores was developed and applied for numerical data evaluation. The analysis of reciprocal space maps provided comprehensive information on a wide range of the porous layer parameters, for example, layer thickness and porosity, orientation, and correlation length of segmented pore structures. The results are in a good agreement with scanning electron microscopy data

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Crystallography

ISSN

0021-8898

e-ISSN

—

Svazek periodika

47

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

12

Strana od-do

1614-1625

Kód UT WoS článku

000342845900014

EID výsledku v databázi Scopus

—