Effect of PEDOT:PSS Layer Deposition on Electrical and Photoelectrical Properties of n(+)-ZnO/n-Si Heterostructure

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F23%3A00571729" target="_blank" >RIV/67985882:_____/23:00571729 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-023-10276-2" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s11664-023-10276-2</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-023-10276-2" target="_blank" >10.1007/s11664-023-10276-2</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Effect of PEDOT:PSS Layer Deposition on Electrical and Photoelectrical Properties of n(+)-ZnO/n-Si Heterostructure

Popis výsledku v původním jazyce

The results of electrical and photoelectrical characterization of the interface and bulk properties of n(+)-ZnO/n-Si and poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS)/n(+)-ZnO/n-Si heterostructures are presented. It was found that the PEDOT:PSS layer deposited on the surface of zinc oxide increases the potential barrier at the ZnO/Si interface, leading to higher band bending in the silicon, which is important for solar cell applications. The recombination rate at the interface decreases because of the creation of an inversion layer in the silicon under operational conditions. The increase of the potential barrier in PEDOT:PSS/n(+)-ZnO/n-Si heterostructures results in the increase of the open-circuit voltage by 54-180%. The external quantum efficiency in PEDOT:PSS/n(+)-ZnO/n-Si heterostructures increases by 100% at 450 nm.

Název v anglickém jazyce

Effect of PEDOT:PSS Layer Deposition on Electrical and Photoelectrical Properties of n(+)-ZnO/n-Si Heterostructure

Popis výsledku anglicky

The results of electrical and photoelectrical characterization of the interface and bulk properties of n(+)-ZnO/n-Si and poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS)/n(+)-ZnO/n-Si heterostructures are presented. It was found that the PEDOT:PSS layer deposited on the surface of zinc oxide increases the potential barrier at the ZnO/Si interface, leading to higher band bending in the silicon, which is important for solar cell applications. The recombination rate at the interface decreases because of the creation of an inversion layer in the silicon under operational conditions. The increase of the potential barrier in PEDOT:PSS/n(+)-ZnO/n-Si heterostructures results in the increase of the open-circuit voltage by 54-180%. The external quantum efficiency in PEDOT:PSS/n(+)-ZnO/n-Si heterostructures increases by 100% at 450 nm.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20501 - Materials engineering

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2023

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Electronic Materials

ISSN

0361-5235

e-ISSN

1543-186X

Svazek periodika

52

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

3112-3120

Kód UT WoS článku

000934300100002

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85148248552