Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Design of a broadband polarization controller based on silicon nitride-loaded thin-film lithium niobate

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F23%3A00580463" target="_blank" >RIV/67985882:_____/23:00580463 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68407700:21340/23:00368657 RIV/00216305:26210/23:PU149827

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1364/OE.501411" target="_blank" >https://doi.org/10.1364/OE.501411</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1364/OE.501411" target="_blank" >10.1364/OE.501411</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Design of a broadband polarization controller based on silicon nitride-loaded thin-film lithium niobate

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A novel design of a polarization controller based on “etch-less” Si3N4-loaded thin film LiNbO3 is described. Broadband operation in the spectral range between 1.45 and 1.65 µm is achieved by using a mode evolution TM/TE splitter/converter, two mode evolution 3-dB couplers, and two electro-optic phase shifters. Numerical simulations show that the on-chip insertion loss should not exceed 1 dB. A single TE-mode output can be adjusted by applying control voltages lower than 10 V for an arbitrary input polarization state

  • Název v anglickém jazyce

    Design of a broadband polarization controller based on silicon nitride-loaded thin-film lithium niobate

  • Popis výsledku anglicky

    A novel design of a polarization controller based on “etch-less” Si3N4-loaded thin film LiNbO3 is described. Broadband operation in the spectral range between 1.45 and 1.65 µm is achieved by using a mode evolution TM/TE splitter/converter, two mode evolution 3-dB couplers, and two electro-optic phase shifters. Numerical simulations show that the on-chip insertion loss should not exceed 1 dB. A single TE-mode output can be adjusted by applying control voltages lower than 10 V for an arbitrary input polarization state

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/EF16_019%2F0000778" target="_blank" >EF16_019/0000778: Centrum pokročilých aplikovaných přírodních věd</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2023

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Optics Express

  • ISSN

    1094-4087

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    31

  • Číslo periodika v rámci svazku

    22

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    10

  • Strana od-do

    35542-35551

  • Kód UT WoS článku

    001097600600001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85175607878