O-band TE- and TM-mode densely packed adiabatically bent waveguide arrays on the silicon-on-insulator platform
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00574604" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00574604 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://hdl.handle.net/11104/0349663" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0349663</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1364/OE.493077" target="_blank" >10.1364/OE.493077</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
O-band TE- and TM-mode densely packed adiabatically bent waveguide arrays on the silicon-on-insulator platform
Popis výsledku v původním jazyce
An efficient, dual-polarization silicon waveguide array with low insertion losses and negligible crosstalks for both TE and TM polarizations has been reported using S-shaped adiabatically bent waveguides. Simulation results for a single S-shaped bend show an insertion loss (IL) of ≤ 0.03 dB and ≤ 0.1 dB for the TE and TM polarizations, respectively, and TE and TM crosstalk values in the first neighboring waveguides at either side of the input waveguide are lower than −39 dB and −24 dB, respectively, over the wavelength range of 1.24 µm to 1.38 µm. The bent waveguide arrays exhibit a measured average TE IL of ≈ 0.1 dB, measured TE crosstalks in the first neighboring waveguides are ≤ −35 dB, at the 1310 nm communication wavelength. The proposed bent array can be made by using multiple cascaded S-shaped bends to transmit signals to all optical components in integrated chips.
Název v anglickém jazyce
O-band TE- and TM-mode densely packed adiabatically bent waveguide arrays on the silicon-on-insulator platform
Popis výsledku anglicky
An efficient, dual-polarization silicon waveguide array with low insertion losses and negligible crosstalks for both TE and TM polarizations has been reported using S-shaped adiabatically bent waveguides. Simulation results for a single S-shaped bend show an insertion loss (IL) of ≤ 0.03 dB and ≤ 0.1 dB for the TE and TM polarizations, respectively, and TE and TM crosstalk values in the first neighboring waveguides at either side of the input waveguide are lower than −39 dB and −24 dB, respectively, over the wavelength range of 1.24 µm to 1.38 µm. The bent waveguide arrays exhibit a measured average TE IL of ≈ 0.1 dB, measured TE crosstalks in the first neighboring waveguides are ≤ −35 dB, at the 1310 nm communication wavelength. The proposed bent array can be made by using multiple cascaded S-shaped bends to transmit signals to all optical components in integrated chips.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Optics Express
ISSN
1094-4087
e-ISSN
—
Svazek periodika
31
Číslo periodika v rámci svazku
13
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
21389-21398
Kód UT WoS článku
001026322200001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85163601793