Chemická depozice z plynné fáze využívající mikrovlnný výboj nebo žhavené vlákno diamantových multivrstev na Si a WC-Co substrátech
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F07%3A00054689" target="_blank" >RIV/68081731:_____/07:00054689 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Microwave and hot filament chemical vapour deposition of diamond multilayers on Si and WC-Co substrates
Popis výsledku v původním jazyce
A serious problem in the use of chemical-vapour-deposited polycrystalline diamond coatings in electronics, optics as well as in cutting tools is the high surface roughness. In our work, microcrystalline and nanocrystalline diamond films with a thicknessof 0.5?5 .mu.m were deposited using microwave chemical vapour deposition (MW CVD), and with a thickness of 1?4 .mu.m by hot filament chemical vapour deposition (HF CVD). For both deposition technologies, we investigated the effect of a negative bias uponthe formation of microcrystalline and nanocrystalline diamond multilayers. In the cases of smooth Si and relief WC?Co substrate surfaces, the multilayers were found to have a "cauliflower" look. The structure and composition of deposited layers were checked by scanning electron microscopy and Raman spectroscopy.
Název v anglickém jazyce
Microwave and hot filament chemical vapour deposition of diamond multilayers on Si and WC-Co substrates
Popis výsledku anglicky
A serious problem in the use of chemical-vapour-deposited polycrystalline diamond coatings in electronics, optics as well as in cutting tools is the high surface roughness. In our work, microcrystalline and nanocrystalline diamond films with a thicknessof 0.5?5 .mu.m were deposited using microwave chemical vapour deposition (MW CVD), and with a thickness of 1?4 .mu.m by hot filament chemical vapour deposition (HF CVD). For both deposition technologies, we investigated the effect of a negative bias uponthe formation of microcrystalline and nanocrystalline diamond multilayers. In the cases of smooth Si and relief WC?Co substrate surfaces, the multilayers were found to have a "cauliflower" look. The structure and composition of deposited layers were checked by scanning electron microscopy and Raman spectroscopy.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA202%2F05%2F0607" target="_blank" >GA202/05/0607: Příprava uhlíkových mikro- a nanostruktur plazmovými technologiemi</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Microelectronic Journal
ISSN
0026-2692
e-ISSN
—
Svazek periodika
38
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
20-23
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—