Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Zobrazování s vysokým rozlišením pomocí zpětně odražených elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F07%3A00092197" target="_blank" >RIV/68081731:_____/07:00092197 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    High Resolution Imaging by Means of Backscattered Electrons in the Scanning Electron Microscope

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This paper deals with imaging by means of backscattered electrons in the high resolution scanning electron microscopy. Possible backscattered electrons detection systems are outlined and one of the most efficient, the high take of angle single crystal scintillation detector, is described in detail. Its advantages and disadvantages are discussed and the comparison with the secondary electron detection modes is shown. The high resolution micrographs taken by the backscattered electron detector as well asby the secondary electron detectors are displayed.

  • Název v anglickém jazyce

    High Resolution Imaging by Means of Backscattered Electrons in the Scanning Electron Microscope

  • Popis výsledku anglicky

    This paper deals with imaging by means of backscattered electrons in the high resolution scanning electron microscopy. Possible backscattered electrons detection systems are outlined and one of the most efficient, the high take of angle single crystal scintillation detector, is described in detail. Its advantages and disadvantages are discussed and the comparison with the secondary electron detection modes is shown. The high resolution micrographs taken by the backscattered electron detector as well asby the secondary electron detectors are displayed.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Materials Science Forum

  • ISSN

    0255-5476

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    567-568

  • Číslo periodika v rámci svazku

    -

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    313-316

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus