Mechanismus degradace poly[methyl(phenyl)silylene] elektronovým svazkem
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F07%3A00095350" target="_blank" >RIV/68081731:_____/07:00095350 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/70883521:28110/07:63505488
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Mechanism of poly[methyl(phenyl)silylene] e-beam degradation
Popis výsledku v původním jazyce
Poly[methyl(phenyl)silylene] (PMPSi) was selected as a typical representative of PSi. The cathodoluminescent (CL) device developed in our laboratory was used for study of PMPSi. CL spectrum of PMPSi corresponds to photoluminescence (PL) emission spectrumof the material used. UV emission decreases rapidly with the degradation, whereas visible one remains nearly stable during electron beam (EB) irradiation. The UV emission is related to the Si backbone. The visible emission is related to the existence ofweak bonds and other defects on Si backbone. Infrared (IR) absorption spectroscopy was used to identify material changes caused by the EB degradation. IR spectra of PMPSi support the idea of Si-Si bonds deformation in the main chain of the material during the EB degradation.
Název v anglickém jazyce
Mechanism of poly[methyl(phenyl)silylene] e-beam degradation
Popis výsledku anglicky
Poly[methyl(phenyl)silylene] (PMPSi) was selected as a typical representative of PSi. The cathodoluminescent (CL) device developed in our laboratory was used for study of PMPSi. CL spectrum of PMPSi corresponds to photoluminescence (PL) emission spectrumof the material used. UV emission decreases rapidly with the degradation, whereas visible one remains nearly stable during electron beam (EB) irradiation. The UV emission is related to the Si backbone. The visible emission is related to the existence ofweak bonds and other defects on Si backbone. Infrared (IR) absorption spectroscopy was used to identify material changes caused by the EB degradation. IR spectra of PMPSi support the idea of Si-Si bonds deformation in the main chain of the material during the EB degradation.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/IAA100100622" target="_blank" >IAA100100622: KONJUGOVANÉ KŘEMÍKOVÉ POLYMERY PRO REZISTY V NANOTECHNOLOGIÍCH</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
3rd European Weathering Symposium (XXVth Colloquium of Danubian Countries on Natural and Artificial Ageing of Polymers)
ISBN
978-3-9810472-3-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
11
Strana od-do
97-107
Název nakladatele
GUS
Místo vydání
Pfinztal
Místo konání akce
Krakow
Datum konání akce
12. 9. 2007
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—