Naprašované vrstvy SiNx:H s leptáním mono-Si povrchu v plazmatickém H2

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F08%3A00324964" target="_blank" >RIV/68081731:_____/08:00324964 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Naprašované vrstvy SiNx:H s leptáním mono-Si povrchu v plazmatickém H2

Popis výsledku v původním jazyce

Příspěvek se zabývá čištěním, aktivací a schopností hydrogenace povrchu monokrystalického křemíku plazmatickým leptáním. Za použití vstupních plynů Ar/H2 je možné na křemíkovém povrchu iniciovat chemické reakce působící podobně, jako je tomu při použitístandardního chemického leptacího roztoku. Proces je kombinován s depozicí vrstev SiNx:H nanášených na povrch leptaný v plasmě.

Název v anglickém jazyce

Sputtered coatings of SiNx:H on H2 plasma etched mono-Si substrate

Popis výsledku anglicky

The paper deals with cleaning, activation and ability of hydrogenation of monocrystalline silicon surface with the help of plasma etching in H2. Using the input gases Ar/H2 it is possible to initiate silicon surface chemical reactions acting similar to astandard chemical etching. The process is combined with deposition of SiNx:H layers on plasma etched substrate.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Sborník příspěvků ze 3. České fotovoltaické konference

ISBN

978-80-254-3528-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

Czech RE Agency

Místo vydání

Rožnov pod Radhoštěm

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

3. 11. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—