Conjugated Silicon ? Based Polymer Resists for Nanotechnologies: EB and UV Mediated Degradation Processes in Polysilanes

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/68081731:_____/09:00335299 - isvavai.cz

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Conjugated Silicon ? Based Polymer Resists for Nanotechnologies: EB and UV Mediated Degradation Processes in Polysilanes

Popis výsledku v původním jazyce

The main purpose of this paper is to compare the photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) after major degradation, predominantly in long wavelength range 400 - 600 nm, studying the disorder due to dangling bonds, conformational transformationsand weak bonds created by the degradation process.

Název v anglickém jazyce

Conjugated Silicon ? Based Polymer Resists for Nanotechnologies: EB and UV Mediated Degradation Processes in Polysilanes

Popis výsledku anglicky

The main purpose of this paper is to compare the photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) after major degradation, predominantly in long wavelength range 400 - 600 nm, studying the disorder due to dangling bonds, conformational transformationsand weak bonds created by the degradation process.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 4th Czech-Japan-China Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology (CJCS?09)

ISBN

978-80-254-4535-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

—

Název nakladatele

ISI AS CR

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

10. 8. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—