Mapping the local density of states above vacuum level by very low energy electron reflectivity

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F10%3A00350669" target="_blank" >RIV/68081731:_____/10:00350669 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Mapping the local density of states above vacuum level by very low energy electron reflectivity

Popis výsledku v původním jazyce

The local density of states is an important characteristic of solids, crystalline matters in particular. What used to be a pure theoreticians? toy is nowadays an experimentally accessible characteristic, e.g. by means of photoemission or scanning tunneling spectroscopy. Local density of states can reflect e.g. the local dopant concentration in semiconductors or discern between different crystal orientations, as each crystal face has a specific density of states. One way of probing the local density of states is to measure the reflectivity of very low energy electrons (units to tens of eV) from the sample surface. The reflectivity is principally inversely proportional to the local density of electronic states coupled to the impinging electron wave.

Název v anglickém jazyce

Mapping the local density of states above vacuum level by very low energy electron reflectivity

Popis výsledku anglicky

The local density of states is an important characteristic of solids, crystalline matters in particular. What used to be a pure theoreticians? toy is nowadays an experimentally accessible characteristic, e.g. by means of photoemission or scanning tunneling spectroscopy. Local density of states can reflect e.g. the local dopant concentration in semiconductors or discern between different crystal orientations, as each crystal face has a specific density of states. One way of probing the local density of states is to measure the reflectivity of very low energy electrons (units to tens of eV) from the sample surface. The reflectivity is principally inversely proportional to the local density of electronic states coupled to the impinging electron wave.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 12th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation

ISBN

978-80-254-6842-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Skalský dvůr

Datum konání akce

31. 5. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—