Imaging the local density of electronic states by very low energy electron reflectivity

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F12%3A00386397" target="_blank" >RIV/68081731:_____/12:00386397 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Imaging the local density of electronic states by very low energy electron reflectivity

Popis výsledku v původním jazyce

This work was concerned with the relationship between the reflectivity of very low energy electrons from a crystalline sample and its density of electron states above the vacuum level. Also, as different crystallographic orientations of the same single crystal exhibit different density of states, the usefulness of electron reflectivity at very low energies was demonstrated for the determination of crystallographic orientation. The technique chosen was the Scanning Low Energy Electron Microscopy (SLEEM)wich allows using arbitrarily low electron energies while preserving a very good image resolution. In our experiments, the incident electron energy ranged between 0 and 45 eV.

Název v anglickém jazyce

Imaging the local density of electronic states by very low energy electron reflectivity

Popis výsledku anglicky

This work was concerned with the relationship between the reflectivity of very low energy electrons from a crystalline sample and its density of electron states above the vacuum level. Also, as different crystallographic orientations of the same single crystal exhibit different density of states, the usefulness of electron reflectivity at very low energies was demonstrated for the determination of crystallographic orientation. The technique chosen was the Scanning Low Energy Electron Microscopy (SLEEM)wich allows using arbitrarily low electron energies while preserving a very good image resolution. In our experiments, the incident electron energy ranged between 0 and 45 eV.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 13th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation

ISBN

978-80-87441-07-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

57-58

Název nakladatele

Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Skalský dvůr

Datum konání akce

25. 6. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—