Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Unconventional Imaging with Backscattered Electrons

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F11%3A00367773" target="_blank" >RIV/68081731:_____/11:00367773 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1017/S143192761100537X" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1017/S143192761100537X</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1017/S143192761100537X" target="_blank" >10.1017/S143192761100537X</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Unconventional Imaging with Backscattered Electrons

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Immesrsion of the sample in a scanning electron microscope to strong electric field enables one to acquire the backscattered electrons (BSE) throughout full energy and angle range of emission. BSE emitted at high angles off the surface normal provide extended crystallographic information with high grain contrast sensitive to details including visualization of the internal stress. At very low energies the BSE yield may serve as fingerprinting the grain orientation. The dopant contrast can be obtained viainjection of very slow electrons.

  • Název v anglickém jazyce

    Unconventional Imaging with Backscattered Electrons

  • Popis výsledku anglicky

    Immesrsion of the sample in a scanning electron microscope to strong electric field enables one to acquire the backscattered electrons (BSE) throughout full energy and angle range of emission. BSE emitted at high angles off the surface normal provide extended crystallographic information with high grain contrast sensitive to details including visualization of the internal stress. At very low energies the BSE yield may serve as fingerprinting the grain orientation. The dopant contrast can be obtained viainjection of very slow electrons.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Microscopy and Microanalysis

  • ISSN

    1431-9276

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    17

  • Číslo periodika v rámci svazku

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

    900-901

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus