Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F14%3A00429848" target="_blank" >RIV/68081731:_____/14:00429848 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano

Popis výsledku v původním jazyce

Jedním z klíčových procesů při výrobě mikro a nanostruktur je opracování povrchů různých materiálů. K opracování povrchu materiálu lze použít metod suchého leptání, jejichž rozvoj nastal s vyššími nároky na leptací techniky kvůli miniaturizaci v mikro ananotechnologiích. Za jednu z nejpoužívanějších metod pro zápis mikroa nanostruktur ve výzkumu se v současnosti považuje elektronová litografie. K dalšímu zpracování vytvářených struktur se pak používá suché leptání využívající ionizovaného plynu (plazmatu). Techniky suchého leptání se rozdělují podle mechanismu na tři základní skupiny: chemické, fyzikální a chemicko-fyzikální. Z hlediska selektivity leptání se jako vhodný jeví první z uvedených mechanismů, založený na chemické reakci mezi částicemi, které vzniknou ionizací plynu (leptadla) a částicemi leptaného materiálu. Tento proces pak bývá označován jako plazmochemické leptání.

Název v anglickém jazyce

Plasmochemical Etching of Silicon in Diener Nano Device

Popis výsledku anglicky

This article deals with plasma etching of Si in a CF4/O2 mixture. This is a common way of Si etching used in micro- and nanofabrication. We determined important parameters such as etching rates and selectivity of Si and PMMA of the process. Experimentalpart was carried out on plasma system Diener nano.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LO1212" target="_blank" >LO1212: ALISI - Centrum pokročilých diagnostických metod a technologií</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Chemické listy

ISSN

0009-2770

e-ISSN

—

Svazek periodika

108

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

592-595

Kód UT WoS článku

000344828700006

EID výsledku v databázi Scopus

—