Study of multi-layered graphene by ultra-low energy SEM/STEM
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F16%3A00459573" target="_blank" >RIV/68081731:_____/16:00459573 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2015.12.012" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2015.12.012</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2015.12.012" target="_blank" >10.1016/j.diamond.2015.12.012</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Study of multi-layered graphene by ultra-low energy SEM/STEM
Popis výsledku v původním jazyce
Scanning electron microscopy with very slow electrons offers a novel tool enabling one to image the graphene samples at nanometer or even sub-nanometer lateral resolution in transmitted as well as reflected electrons and to count reliably the atomic layers in both imaging modes. The study was performed on graphene prepared by chemical vapor deposition on thin copper foil. Observation by slow electrons has also confirmed the underlayer mechanism of nucleation and growth bellow already existing graphene layers on copper. Moreover, electrons with impacted energy below 100 eV can be used for "cleaning" of a material. It leads to elimination of the contamination process during the measurement, which enables to observe the predicted oscillations in reflection mode and to measure the transmissivity of various stacks of layers in transmission mode down to units of eV.
Název v anglickém jazyce
Study of multi-layered graphene by ultra-low energy SEM/STEM
Popis výsledku anglicky
Scanning electron microscopy with very slow electrons offers a novel tool enabling one to image the graphene samples at nanometer or even sub-nanometer lateral resolution in transmitted as well as reflected electrons and to count reliably the atomic layers in both imaging modes. The study was performed on graphene prepared by chemical vapor deposition on thin copper foil. Observation by slow electrons has also confirmed the underlayer mechanism of nucleation and growth bellow already existing graphene layers on copper. Moreover, electrons with impacted energy below 100 eV can be used for "cleaning" of a material. It leads to elimination of the contamination process during the measurement, which enables to observe the predicted oscillations in reflection mode and to measure the transmissivity of various stacks of layers in transmission mode down to units of eV.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Diamond and Related Materials
ISSN
0925-9635
e-ISSN
—
Svazek periodika
63
Číslo periodika v rámci svazku
March 2016
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
136-142
Kód UT WoS článku
000371942700025
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84959251388