Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Examination of Graphene with Very Slow Electrons

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F14%3A00437839" target="_blank" >RIV/68081731:_____/14:00437839 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Examination of Graphene with Very Slow Electrons

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Although graphene has been available and intensively studied for nearly a full decade, new methods are still required for its examination and diagnostics. Even checking the continuity of layers and the reliable counting of layers of graphene and other 2Dcrystals should be easier to perform. Scanning electron microscopy with slow and very slow electrons offers an innovative tool enabling one to see graphene samples at nanometer or even sub-nanometer lateral resolution in both transmitted and reflected electrons and to count the number of layers reliably in both imaging modes. Diagnostics can be performed in this way on freestanding graphene samples as well as on graphene grown on the surfaces of bulk substrates. Moreover, bombardment with very slow electrons acts as an ultimate cleaning procedure removing adsorbed gases from crystal surfaces which can be monitored in scanned transmission electron images taken at below 50 eV.

  • Název v anglickém jazyce

    Examination of Graphene with Very Slow Electrons

  • Popis výsledku anglicky

    Although graphene has been available and intensively studied for nearly a full decade, new methods are still required for its examination and diagnostics. Even checking the continuity of layers and the reliable counting of layers of graphene and other 2Dcrystals should be easier to perform. Scanning electron microscopy with slow and very slow electrons offers an innovative tool enabling one to see graphene samples at nanometer or even sub-nanometer lateral resolution in both transmitted and reflected electrons and to count the number of layers reliably in both imaging modes. Diagnostics can be performed in this way on freestanding graphene samples as well as on graphene grown on the surfaces of bulk substrates. Moreover, bombardment with very slow electrons acts as an ultimate cleaning procedure removing adsorbed gases from crystal surfaces which can be monitored in scanned transmission electron images taken at below 50 eV.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    NANOCON 2014. 6th International conference proceedings

  • ISBN

    978-80-87294-55-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    TANGER

  • Místo vydání

    Ostrava

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    5. 11. 2014

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku