Functional nano-structuring of thin silicon nitride membranes

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F20%3A00525191" target="_blank" >RIV/68081731:_____/20:00525191 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://content.sciendo.com/view/journals/jee/71/2/article-p127.xml" target="_blank" >https://content.sciendo.com/view/journals/jee/71/2/article-p127.xml</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.2478/jee-2020-0019" target="_blank" >10.2478/jee-2020-0019</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Functional nano-structuring of thin silicon nitride membranes

Popis výsledku v původním jazyce

The paper describes the development and production of a nano-optical device consisting of a nano-perforated layer of silicon nitride stretched in a single-crystal silicon frame using electron beam lithography (EBL) and reactive ion etching (RIE) techniques. Procedures for transferring nanostructures to the nitride layer are described, starting with the preparation of a metallic mask layer by physical vapor deposition (PVD), high-resolution pattern recording technique using EBL and the transfer of the motif into the functional layer using the RIE technique. Theoretical aspects are summarized including technological issues, achieved results and application potential of patterned silicon nitride membranes.

Název v anglickém jazyce

Functional nano-structuring of thin silicon nitride membranes

Popis výsledku anglicky

The paper describes the development and production of a nano-optical device consisting of a nano-perforated layer of silicon nitride stretched in a single-crystal silicon frame using electron beam lithography (EBL) and reactive ion etching (RIE) techniques. Procedures for transferring nanostructures to the nitride layer are described, starting with the preparation of a metallic mask layer by physical vapor deposition (PVD), high-resolution pattern recording technique using EBL and the transfer of the motif into the functional layer using the RIE technique. Theoretical aspects are summarized including technological issues, achieved results and application potential of patterned silicon nitride membranes.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis

ISSN

1335-3632

e-ISSN

—

Svazek periodika

71

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

SK - Slovenská republika

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

127-130

Kód UT WoS článku

000536287900009

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85085758550