Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Nanopatterning of silicon nitride membranes

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F70883521%3A28610%2F17%3A63516615" target="_blank" >RIV/70883521:28610/17:63516615 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68081731:_____/17:00464387

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Nanopatterning of silicon nitride membranes

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Membranes are typically created by a thin silicon nitride (SIN) layer deposited on a silicon wafer. Both, top and bottom side of the wafer is covered by a thin layer of the silicon nitride. The principle of silicon nitride membranes preparation is based on the wet anisotropic etching of the bottom side of the silicon wafer with crystallographic orientation (100). While the basic procedure for the preparation of such membranes is well known, the nano patterning of thin membranes presents quite important challenges. This is partially due to the mechanical stress which is typically presented within such membranes. The resolution requirements of the membrane patterning have gradually increased. Advanced lithographic techniques and etching procedures had to be developed. This paper summarizes theoretical aspects, technological issues and achieved results. The application potential of silicon nitride membranes as a base for multifunctional micro system (MMS) is also discussed.

  • Název v anglickém jazyce

    Nanopatterning of silicon nitride membranes

  • Popis výsledku anglicky

    Membranes are typically created by a thin silicon nitride (SIN) layer deposited on a silicon wafer. Both, top and bottom side of the wafer is covered by a thin layer of the silicon nitride. The principle of silicon nitride membranes preparation is based on the wet anisotropic etching of the bottom side of the silicon wafer with crystallographic orientation (100). While the basic procedure for the preparation of such membranes is well known, the nano patterning of thin membranes presents quite important challenges. This is partially due to the mechanical stress which is typically presented within such membranes. The resolution requirements of the membrane patterning have gradually increased. Advanced lithographic techniques and etching procedures had to be developed. This paper summarizes theoretical aspects, technological issues and achieved results. The application potential of silicon nitride membranes as a base for multifunctional micro system (MMS) is also discussed.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    V - Vyzkumna aktivita podporovana z jinych verejnych zdroju

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2017

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Nanocon 2016

  • ISBN

    978-80-87294-71-0

  • ISSN

  • e-ISSN

    neuvedeno

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    709-714

  • Název nakladatele

    Tanger spol. s r. o.

  • Místo vydání

    Ostrava

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    19. 10. 2016

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000410656100123