SMV-2019-04: Velkoplošné nanášení nanostruktur

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F19%3A00517212" target="_blank" >RIV/68081731:_____/19:00517212 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

SMV-2019-04: Velkoplošné nanášení nanostruktur

Popis výsledku v původním jazyce

Vývoj sendvičových nanostruktur na dopovaném křemíkovém substrátu. Rozměry nanostruktur a jejich periodicita je na limitu rozměrů, které umožňuje připravit elektronový litograf Raith EBPG5000+. Na dopovaný křemíkový substrát byla připravena tenká nitridová vrstva jako maska pro následné leptání. Pomocí elektronové litografie a vakuového napařování byly nejdříve připraveny zlaté soukrytovací značky nutné pro provedení vícenásobné expozice. V dalším litografickém kroku byla naexponována maska v rezistu, přes kterou se pomocí reaktivního iontového leptání proleptala nitridová maska. Přes nitridovou masku došlo k vyleptání pyramid v křemíku. V třetím litografickém kroku byla pomocí různých strategií zápisu připravena druhá maska pro napaření hliníkové vrstvy v místech dříve vyleptaných pyramid. Proces byl dokončen provedením lift-off techniky okolní plochy.

Název v anglickém jazyce

SMV-2019-04: Large-area nanostructures preparing

Popis výsledku anglicky

The development of sandwich nanostructures on doped silicon substrate. The dimension of nanostructures and their pitch is very close to the capability of used e-beam system Raith EBPG5000+. Thin silicon nitride layer was prepared on doped silicon substrate. This layer is needed for wet etching of silicon. The golden markers needed for direct writing of multiple patterns were prepared by the way of e-beam lithography and vacuum evaporation. Mask in the resist layer was exposed for etching of the silicon nitride mask by reactive ion etching in the next step. Wet etching of silicon was carried out after the mask was prepared. Small pyramids were created by the etching process. The last lithography step was preparation of the mask over the pyramids. Thin aluminum layer in the areas where the pyramids are presented was prepared by the way of vacuum evaporation and lift-off technique.

Druh

V_souhrn - Souhrnná výzkumná zpráva

CEP obor

—

OECD FORD obor

21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

Projekt

—

Návaznosti

N - Vyzkumna aktivita podporovana z neverejnych zdroju

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Počet stran výsledku

5

Místo vydání

Brno

Název nakladatele resp. objednatele

Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT

Verze

—