Technologie výroby planárních optických mikrostruktur pomocí DRIE a elektronové litografie

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F25%3A00644311" target="_blank" >RIV/68081731:_____/25:00644311 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Technologie výroby planárních optických mikrostruktur pomocí DRIE a elektronové litografie

Popis výsledku v původním jazyce

Technologie přípravy planárních optických mikrostruktur je založena na kombinaci elektronové litografie a hlubokého reaktivního iontového leptání. Jako substrát je použit křemík o průměru 100 mm a tloušťce 450 µm. Značky, přes které probíhá sesazení motivů, jsou vyleptány přes rezistovou masku do křemíkového substrátu reaktivním iontovým leptáním směsí plynu C4F8 a SF6. Motiv hlubokých binárních mikrostruktur je exponován do rezistu pomocí elektronové litografie a následně je přenesen hlubokým reaktivním iontovým leptáním do křemíkového substrátu směsí plynu C4F8 a SF6. Motiv mělkých mikrostruktur je vytvořen pomocí šedotónové elektronové litografie do vrstvy rezistu PMMA. Nepřesnost sesazení obou motivů je lepší než 50 nm.

Název v anglickém jazyce

: Technology of manufacturing of planar optical microstructures using DRIE and e-beam lithography

Popis výsledku anglicky

The fabrication of planar optical microstructures is based on a combination of e-beam lithography (EBL) and deep reactive ion etching (DRIE). A silicon wafer with a diameter od 100 mm and a thickness of 450 µm is used as the substrate. Alignment markers for both patterning steps are etched directly into the silicon substrate through a resist mask using DRIE with a gas mixture of C4F8 and SF6. The pattern of deep binary microstructures is exposed in the resist layer by e-beam lithography and subsequently transfered into the silicon substrate using DRIE with a gas mixture of C4F8 and SF6. The shallow microstructures are fabricated by grayscale EBL in a PMMA resist layer. The alignment accuracy between the two patterning steps is better than 50 nm.

Druh

Z_tech - Ověřená technologie

CEP obor

—

OECD FORD obor

10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Projekt

<a href="/cs/project/TN02000020" target="_blank" >TN02000020: Centrum pokročilé elektronové a fotonové optiky</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2025

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Interní identifikační kód produktu

APL-2025-05

Číselná identifikace

—

Technické parametry

Technologie pro výrobu planárních optických mikrostruktur kombinující reliéfy připravené pomocí hlubokého reaktivního iontového leptání do křemíkového substrátu s hloubkou přesahující 10 µm a pomocí elektronové litografie do vrstvy rezistu s hloubkou nepřesahující 1,5 µm. Nepřesnost sesazení motivů je lepší než 50 nm.

Ekonomické parametry

Ověřená technologie realizovaná při řešení grantu s předpokladem smluvního využití s ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Stanislav Krátký, Ph.D., kratky@isibrno.cz.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

68081731

Název vlastníka

Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Požadavek na licenční poplatek

A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

Adresa www stránky s výsledkem

—