Broken-gap heterojunction in the p-GaSb- n-InAs 1-xSb x(0.le.x.le.0.18) system.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F01%3A02010279" target="_blank" >RIV/68378271:_____/01:02010279 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Broken-gap heterojunction in the p-GaSb- n-InAs 1-xSb x(0.le.x.le.0.18) system.

Popis výsledku v původním jazyce

Epitaxial InAs 1-xSb x layers with the Sb content 0.le.x.le.0.18 were grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) on p-GaSb and n-InAs substrates. The photoluminescence (PL) spectra of the heterostructures were measured at T=77 K. The experiment PLdata were used to study variation of the bandgap width as a function of the InAsSb solid solution composition.

Název v anglickém jazyce

Broken-gap heterojunction in the p-GaSb- n-InAs 1-xSb x(0.le.x.le.0.18) system.

Popis výsledku anglicky

Epitaxial InAs 1-xSb x layers with the Sb content 0.le.x.le.0.18 were grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) on p-GaSb and n-InAs substrates. The photoluminescence (PL) spectra of the heterostructures were measured at T=77 K. The experiment PLdata were used to study variation of the bandgap width as a function of the InAsSb solid solution composition.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Technical Physics Letters

ISSN

1063-7850

e-ISSN

—

Svazek periodika

27

Číslo periodika v rámci svazku

11

Stát vydavatele periodika

RU - Ruská federace

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

966-968

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—