MBE growth of InAs/InAsSb/AlAsSb structures for mid-infrared lasers.
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F01%3A02010010" target="_blank" >RIV/68378271:_____/01:02010010 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
MBE growth of InAs/InAsSb/AlAsSb structures for mid-infrared lasers.
Popis výsledku v původním jazyce
The growth by solid source molecular beam epitaxy of type-II InAsSb/InAs multi-quantum well laser diodes on InAs has been studied. Mesa-stripe laser diodes processed from the epitaxied structures operated at 3.5 microm in pulsed regime up to 220 K, witha threshold current density of 130A/cm2 at 90 K and a peak optical power efficiency of 50mW/A/facet.
Název v anglickém jazyce
MBE growth of InAs/InAsSb/AlAsSb structures for mid-infrared lasers.
Popis výsledku anglicky
The growth by solid source molecular beam epitaxy of type-II InAsSb/InAs multi-quantum well laser diodes on InAs has been studied. Mesa-stripe laser diodes processed from the epitaxied structures operated at 3.5 microm in pulsed regime up to 220 K, witha threshold current density of 130A/cm2 at 90 K and a peak optical power efficiency of 50mW/A/facet.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
e-ISSN
—
Svazek periodika
223
Číslo periodika v rámci svazku
N/A
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
341-348
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—