Raman scattering study of type II GaInAsSb/InAs heterostructures.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F02%3A02020137" target="_blank" >RIV/68378271:_____/02:02020137 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Raman scattering study of type II GaInAsSb/InAs heterostructures.
Popis výsledku v původním jazyce
Ga 1-x In x As y Sb 1-y quaternary solid solutions lattice-matched to the InAs (001) substrate with composition in range 0.06.le.x.le.0.22 were grown by liquid phase epitaxy. The assignment of the observed modes to GaAs-like and (GaSb+InAS)-like mixturemodes is discussed.
Název v anglickém jazyce
Raman scattering study of type II GaInAsSb/InAs heterostructures.
Popis výsledku anglicky
Ga 1-x In x As y Sb 1-y quaternary solid solutions lattice-matched to the InAs (001) substrate with composition in range 0.06.le.x.le.0.22 were grown by liquid phase epitaxy. The assignment of the observed modes to GaAs-like and (GaSb+InAS)-like mixturemodes is discussed.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F99%2F0414" target="_blank" >GA102/99/0414: Materiály a struktury pro elektronické a optoelektronické součástky připravované metodou MOVPE</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)