Silicon-based light-emitting materials:implanted SiO 2 films and wide bandgap a-Si:H.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F01%3A02010330" target="_blank" >RIV/68378271:_____/01:02010330 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Silicon-based light-emitting materials:implanted SiO 2 films and wide bandgap a-Si:H.

Popis výsledku v původním jazyce

We review critically recent results of investigation of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and Si + implanted SiO 2 films from point of view of light-emission applications. Wide bandgap a-Si:H with the energy gap ranging from 2.0 to 2.2 eV exhibitsroom temperature photoluminescence in the visible region.

Název v anglickém jazyce

Silicon-based light-emitting materials:implanted SiO 2 films and wide bandgap a-Si:H.

Popis výsledku anglicky

We review critically recent results of investigation of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and Si + implanted SiO 2 films from point of view of light-emission applications. Wide bandgap a-Si:H with the energy gap ranging from 2.0 to 2.2 eV exhibitsroom temperature photoluminescence in the visible region.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Optical Organic and Inorganic Materials.

ISBN

0-8197-4120-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

66-75

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

Bellingham

Místo konání akce

Vilnius [LT]

Datum konání akce

16. 4. 2000

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—