Silicon-based-light-emitting materials: implanted SiO 2 films and wide bandgap a-Si:H.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F01%3A02010489" target="_blank" >RIV/68378271:_____/01:02010489 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Silicon-based-light-emitting materials: implanted SiO 2 films and wide bandgap a-Si:H.
Popis výsledku v původním jazyce
The paper reviews critically the results of investigation of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and Si + - implanted SiO 2 films from the point of view of light emission applications. Wide band gap a-Si:H with the energy gap ranging from 2.0 to 2.2eV exhibits room temperature photoluminescence in the visible region.
Název v anglickém jazyce
Silicon-based-light-emitting materials: implanted SiO 2 films and wide bandgap a-Si:H.
Popis výsledku anglicky
The paper reviews critically the results of investigation of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and Si + - implanted SiO 2 films from the point of view of light emission applications. Wide band gap a-Si:H with the energy gap ranging from 2.0 to 2.2eV exhibits room temperature photoluminescence in the visible region.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)