Experimentální důkazy extrakce minoritních nosičů náboje v SI-GaAs a v rozhraní LT MBE GaAs

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F02%3A00021397" target="_blank" >RIV/68378271:_____/02:00021397 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Experimental evidence of the minority carrier extraction at the bulk semi-insulating GaAs/As-implanted and LT MBE GaAs interface

Popis výsledku v původním jazyce

Charge transport was studied by means of I-V characteristics in different SI-GaAs-based structures. Supression of the reverse current and increase of the breakdown voltage in the system with the LT-MBE layer has been explained by a blocking of the minority carrier injection by this layer.

Název v anglickém jazyce

Experimental evidence of the minority carrier extraction at the bulk semi-insulating GaAs/As-implanted and LT MBE GaAs interface

Popis výsledku anglicky

Charge transport was studied by means of I-V characteristics in different SI-GaAs-based structures. Supression of the reverse current and increase of the breakdown voltage in the system with the LT-MBE layer has been explained by a blocking of the minority carrier injection by this layer.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proc. of the 4th Symposium on Non-Stoichiometric III-V Compounds,

ISBN

3-932392-39-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

65-70

Název nakladatele

Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung

Místo vydání

University of Erlangen

Místo konání akce

Asilomar Cafifornia

Datum konání akce

2. 9. 2002

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—