Silicon thin films deposited at very low substrate temperatures.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F03%3A02030314" target="_blank" >RIV/68378271:_____/03:02030314 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/03:00000498
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Silicon thin films deposited at very low substrate temperatures.
Popis výsledku v původním jazyce
The influence of the substrate temperature (in the wide range of 35-200 o C) on the structure and properties of silicon thin films was studied. It seems that low substrate temperature a parameter window exists where the silicon thin films can be grown with the properties combining both crystalline and amorphous behavior.
Název v anglickém jazyce
Silicon thin films deposited at very low substrate temperatures.
Popis výsledku anglicky
The influence of the substrate temperature (in the wide range of 35-200 o C) on the structure and properties of silicon thin films was studied. It seems that low substrate temperature a parameter window exists where the silicon thin films can be grown with the properties combining both crystalline and amorphous behavior.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/ME%20537" target="_blank" >ME 537: Materiály pro tenkovrstvé sluneční články nanášené při nízkých teplotách na plastové podložky</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)