Electroluminescence in a semimetal channel at a single broken-gap heterointerface of type II.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F03%3A02030347" target="_blank" >RIV/68378271:_____/03:02030347 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electroluminescence in a semimetal channel at a single broken-gap heterointerface of type II.
Popis výsledku v původním jazyce
The radiative recombination at the broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs type-II interface was investigated in the temperature range of 4-100K.Two electroluminescence bands at 0.37 eV and 0.40 eV were observed. The first EL maximum was ascribed to recombination of electrons from semimetal channel at the interface with holes on deep acceptor level at the interface. The second EL maximum is connecected with the recombination in bulk InAs.
Název v anglickém jazyce
Electroluminescence in a semimetal channel at a single broken-gap heterointerface of type II.
Popis výsledku anglicky
The radiative recombination at the broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs type-II interface was investigated in the temperature range of 4-100K.Two electroluminescence bands at 0.37 eV and 0.40 eV were observed. The first EL maximum was ascribed to recombination of electrons from semimetal channel at the interface with holes on deep acceptor level at the interface. The second EL maximum is connecected with the recombination in bulk InAs.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)