Intense interface luminescence in type II narrow-gap InAs-based heterostructures at room temperature

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00371383" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00371383 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2010.01.161" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2010.01.161</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2010.01.161" target="_blank" >10.1016/j.phpro.2010.01.161</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Intense interface luminescence in type II narrow-gap InAs-based heterostructures at room temperature

Popis výsledku v původním jazyce

Positive and negative luminescence was observed in a type II broken-gap p-InAs/p-GaAsSb heterostructure in the mid-infrared spectral range 3-5 ?m at room temperature. Interface-related radiative recombination was provided by Mn acceptor states on InAs surface. I-V characteristics behavior was discussed using the tunneling-assisted current transport mechanism through surface states. Redistribution between the interband (h?1=0.36 eV) and interface (h?2=0.31 eV) emission bands in electroluminescent spectraat reverse bias was found in dependence on Fermi level position pinning by surface states at the type II broken-gap heterointerface.

Název v anglickém jazyce

Intense interface luminescence in type II narrow-gap InAs-based heterostructures at room temperature

Popis výsledku anglicky

Positive and negative luminescence was observed in a type II broken-gap p-InAs/p-GaAsSb heterostructure in the mid-infrared spectral range 3-5 ?m at room temperature. Interface-related radiative recombination was provided by Mn acceptor states on InAs surface. I-V characteristics behavior was discussed using the tunneling-assisted current transport mechanism through surface states. Redistribution between the interband (h?1=0.36 eV) and interface (h?2=0.31 eV) emission bands in electroluminescent spectraat reverse bias was found in dependence on Fermi level position pinning by surface states at the type II broken-gap heterointerface.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/IAA100100719" target="_blank" >IAA100100719: Řízená příprava polovodičových kvantových teček</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physics Procedia

ISSN

1875-3892

e-ISSN

—

Svazek periodika

3

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1189-1193

Kód UT WoS článku

000275915400015

EID výsledku v databázi Scopus

—