Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00342123" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00342123 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface

Popis výsledku v původním jazyce

Luminescent characteristics of asymmetric p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the heterointerface grown by MOVPE are studied. Intense positive and negative luminescence was observed in the range of photon energies of 0.3-0.4 eV with a forward and reverse bias, respectively. The suggested heterostructures can be used as lightemitting diodes (photodiodes) with switched positive and negative luminescence in the mid-IR spectral range of 3-4 ?m.

Název v anglickém jazyce

Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface

Popis výsledku anglicky

Luminescent characteristics of asymmetric p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the heterointerface grown by MOVPE are studied. Intense positive and negative luminescence was observed in the range of photon energies of 0.3-0.4 eV with a forward and reverse bias, respectively. The suggested heterostructures can be used as lightemitting diodes (photodiodes) with switched positive and negative luminescence in the mid-IR spectral range of 3-4 ?m.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Semiconductors

ISSN

1063-7826

e-ISSN

—

Svazek periodika

44

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

RU - Ruská federace

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000273980800010

EID výsledku v databázi Scopus

—