MIR fotovoltaické detektory na bázi p InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb heterostruktury typu II s hlubokými kvantovými jámami na rozhraní (9. Mez. konf. o optoelektronice ve střední infračervené oblasti: materiály a součástky - MIOMD-IX, 7.-11.9.08)

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00317930" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00317930 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

MIR PhotoVoltaic detectors based on type II p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb heterostructure with deep quantum wells at the interface (9th Int. Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices - MIOMD-IX, 7.- 11.9.2008, Freiburg, Germany)

Popis výsledku v původním jazyce

We studied electroluminescent characteristics and photoelectrical properties of asymmetric type II p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb heterostructure. Intensive positive and negative electroluminescence was observed at T=300-400 K.

Název v anglickém jazyce

MIR PhotoVoltaic detectors based on type II p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb heterostructure with deep quantum wells at the interface (9th Int. Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices - MIOMD-IX, 7.- 11.9.2008, Freiburg, Germany)

Popis výsledku anglicky

We studied electroluminescent characteristics and photoelectrical properties of asymmetric type II p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb heterostructure. Intensive positive and negative electroluminescence was observed at T=300-400 K.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů