Superlinearity and temperature dependence of electroluminescence in heterostructures with deep AlSb/InAs1-xSbx/AlSb quantum well

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00456714" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00456714 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2069903" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2069903</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2069903" target="_blank" >10.1117/12.2069903</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Superlinearity and temperature dependence of electroluminescence in heterostructures with deep AlSb/InAs1-xSbx/AlSb quantum well

Popis výsledku v původním jazyce

We report on superlinear electroluminescent structures based on AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep QW grown by MOVPE on n-GaSb:Te substrate. Intensive two-band superlinear EL in the 0.5-0.8 eV photon energy range was observed. Optical power enhancement with the increasing drive current at room temperature is caused by the contribution of the additional electron-hole pairs due to the impact ionization by the electrons heated at the high band offset between AlSb and the first electron level Ee1 in the InAsSb QW. Study of the EL temperature dependence enabled us to define the role of the first and second heavy hole levels in the radiative recombination process. It was shown that with the temperature decrease, the relation between the energies of the valence band offset and the second heavy hole energy level changes due to the temperature transformation of the energy band diagram.

Název v anglickém jazyce

Superlinearity and temperature dependence of electroluminescence in heterostructures with deep AlSb/InAs1-xSbx/AlSb quantum well

Popis výsledku anglicky

We report on superlinear electroluminescent structures based on AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep QW grown by MOVPE on n-GaSb:Te substrate. Intensive two-band superlinear EL in the 0.5-0.8 eV photon energy range was observed. Optical power enhancement with the increasing drive current at room temperature is caused by the contribution of the additional electron-hole pairs due to the impact ionization by the electrons heated at the high band offset between AlSb and the first electron level Ee1 in the InAsSb QW. Study of the EL temperature dependence enabled us to define the role of the first and second heavy hole levels in the radiative recombination process. It was shown that with the temperature decrease, the relation between the energies of the valence band offset and the second heavy hole energy level changes due to the temperature transformation of the energy band diagram.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA13-15286S" target="_blank" >GA13-15286S: Nano-heterostruktury s hlubokou kvantovou jámou na bázi GaSb</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Photonics, Devices, and System VI

ISBN

978-1-62841-566-7

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

"94500J-1"-"94500J-10"

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

Bellingham

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

27. 8. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000349404500018