Growth of deep InAsSb electron QW with AlSb barriers on GaSb substrate
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00399966" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00399966 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Growth of deep InAsSb electron QW with AlSb barriers on GaSb substrate
Popis výsledku v původním jazyce
Superlinear electroluminescence with anomalous temperature dependence was observed on GaSb based structures with AlSb barriers and deep InAsSb quantum well. Reflectance anisotropy spectroscopy was used for in situ growth checking. High energy AlSb barriers should provide electrons with sufficient energy for impact ionization in InAsSb QW. Suggested AlAs like interfaces should improve the hole localization in shallow valence band QW. The electroluminescence results of our deep QW GaSb based structure suggest, that the carrier multiplication effect due to impact ionization may take place at the Al(As)Sb/InAsSb heterointerface. This occurs due to a large band offset at the interface exceeding ionization threshold energy for electrons in the narrow-gap well. This effect can be used to increase quantum efficiency and optical power of light emitting devices (LEDs, lasers), as well as for photovoltaic elements.
Název v anglickém jazyce
Growth of deep InAsSb electron QW with AlSb barriers on GaSb substrate
Popis výsledku anglicky
Superlinear electroluminescence with anomalous temperature dependence was observed on GaSb based structures with AlSb barriers and deep InAsSb quantum well. Reflectance anisotropy spectroscopy was used for in situ growth checking. High energy AlSb barriers should provide electrons with sufficient energy for impact ionization in InAsSb QW. Suggested AlAs like interfaces should improve the hole localization in shallow valence band QW. The electroluminescence results of our deep QW GaSb based structure suggest, that the carrier multiplication effect due to impact ionization may take place at the Al(As)Sb/InAsSb heterointerface. This occurs due to a large band offset at the interface exceeding ionization threshold energy for electrons in the narrow-gap well. This effect can be used to increase quantum efficiency and optical power of light emitting devices (LEDs, lasers), as well as for photovoltaic elements.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA13-15286S" target="_blank" >GA13-15286S: Nano-heterostruktury s hlubokou kvantovou jámou na bázi GaSb</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
EWMOVPE XV
ISBN
978-3-89336-870-9
ISSN
1866-1777
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
135-138
Název nakladatele
Forschungszentrum Jülich GmbH
Místo vydání
Jülich
Místo konání akce
Aachen
Datum konání akce
2. 6. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—