Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

LED-like structures with high temperature superlinear luminescence

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00464452" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00464452 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    LED-like structures with high temperature superlinear luminescence

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The superlinear electroluminescence (SLEL) of the structures based on AlSb/InAsSb/AlSb deep quantum wells (QWs) grown by MOVPE on n-GaSb:Te substrates is presented. Two different Sb compositions were grown. Dependence of the electroluminescence spectra and optical power on the drive current in nano-heterostructures at 77-300 K temperature range was measured. Intensive two-band SLEL in the 0.5-0.8 eV photon energy range and optical power enhancement with the drive current at room emperature caused by the contribution of the additional electron-hole pairs, generated at AlSb/InAs interface, due to the impact ionization by the electrons heated at the high energy difference between AlSb and the first electron level Ee1 in the InAsSb QW were found.n

  • Název v anglickém jazyce

    LED-like structures with high temperature superlinear luminescence

  • Popis výsledku anglicky

    The superlinear electroluminescence (SLEL) of the structures based on AlSb/InAsSb/AlSb deep quantum wells (QWs) grown by MOVPE on n-GaSb:Te substrates is presented. Two different Sb compositions were grown. Dependence of the electroluminescence spectra and optical power on the drive current in nano-heterostructures at 77-300 K temperature range was measured. Intensive two-band SLEL in the 0.5-0.8 eV photon energy range and optical power enhancement with the drive current at room emperature caused by the contribution of the additional electron-hole pairs, generated at AlSb/InAs interface, due to the impact ionization by the electrons heated at the high energy difference between AlSb and the first electron level Ee1 in the InAsSb QW were found.n

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů