Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

MIR LED-like structures with high temperature superlinear luminescence

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00463669" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00463669 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    MIR LED-like structures with high temperature superlinear luminescence

  • Popis výsledku v původním jazyce

    AlSb/InAsSb/AlSb based heterostructures and nanostructures with quantum wells (QWs) grown on GaSb are promising materials for the optoelectronic devices for near- and mid-IR spectral regions. GaSb-based structures with a deep AlSb/InAsSb/AlSb QW were prepared. The impact ionization by the electrons heated at AlSb/QW interface was observed. Two-band superlinear electroluminescence with the highest intensity near 375 K occurs. Presented results for the light-emitting diodes with deep InAsSb QW pave the way for mid-IR devices operating in wide temperature range from –200 C up to +200°C.

  • Název v anglickém jazyce

    MIR LED-like structures with high temperature superlinear luminescence

  • Popis výsledku anglicky

    AlSb/InAsSb/AlSb based heterostructures and nanostructures with quantum wells (QWs) grown on GaSb are promising materials for the optoelectronic devices for near- and mid-IR spectral regions. GaSb-based structures with a deep AlSb/InAsSb/AlSb QW were prepared. The impact ionization by the electrons heated at AlSb/QW interface was observed. Two-band superlinear electroluminescence with the highest intensity near 375 K occurs. Presented results for the light-emitting diodes with deep InAsSb QW pave the way for mid-IR devices operating in wide temperature range from –200 C up to +200°C.

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů