Two-band superlinear electroluminescence in GaSb based nanoheterostructures with AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep quantum well
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00432311" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00432311 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4882072" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4882072</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4882072" target="_blank" >10.1063/1.4882072</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Two-band superlinear electroluminescence in GaSb based nanoheterostructures with AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep quantum well
Popis výsledku v původním jazyce
We report on superlinear electroluminescent structures based on AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep quantum wells grown by MOVPE on n-GaSb:Te substrates. Study of the EL temperature dependence at 90?300K range enabled us to define the role of the first and secondheavy hole levels in the radiative recombination process. It was shown that with the temperature decrease, the relation between the energies of the valence band offset and the second heavy hole energy level changes due to the temperature transformation of the energy band diagram. Comparative examination of the nanostructures with high band offsets and different interface types (AlAs-like and InSb-like) reveals more intense EL and optical power enhancement at room temperature in the case of AlAs-like interface that could be explained by the better quality of the heterointerface and more efficient hole localization.
Název v anglickém jazyce
Two-band superlinear electroluminescence in GaSb based nanoheterostructures with AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep quantum well
Popis výsledku anglicky
We report on superlinear electroluminescent structures based on AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep quantum wells grown by MOVPE on n-GaSb:Te substrates. Study of the EL temperature dependence at 90?300K range enabled us to define the role of the first and secondheavy hole levels in the radiative recombination process. It was shown that with the temperature decrease, the relation between the energies of the valence band offset and the second heavy hole energy level changes due to the temperature transformation of the energy band diagram. Comparative examination of the nanostructures with high band offsets and different interface types (AlAs-like and InSb-like) reveals more intense EL and optical power enhancement at room temperature in the case of AlAs-like interface that could be explained by the better quality of the heterointerface and more efficient hole localization.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA13-15286S" target="_blank" >GA13-15286S: Nano-heterostruktury s hlubokou kvantovou jámou na bázi GaSb</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
e-ISSN
—
Svazek periodika
115
Číslo periodika v rámci svazku
22
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
"223102-1"-"223102-5"
Kód UT WoS článku
000337891800002
EID výsledku v databázi Scopus
—