Měření foto-Hallova jevu v P, N a B dopovaném diamantu při nízkých teplotách

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00100474" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00100474 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Photo-Hall effect measurements in P, N and B-doped diamond at low temperatures

Popis výsledku v původním jazyce

Resistivity and Hall effect measurements are applied to understand the electronic properties of homoepitaxially grown n- and p-type CVD diamond in the wide temperature range 10-900K. To overcome the high dark resistivity at low temperature, carrier concentration is enhanced by photo-excitation

Název v anglickém jazyce

Photo-Hall effect measurements in P, N and B-doped diamond at low temperatures

Popis výsledku anglicky

Resistivity and Hall effect measurements are applied to understand the electronic properties of homoepitaxially grown n- and p-type CVD diamond in the wide temperature range 10-900K. To overcome the high dark resistivity at low temperature, carrier concentration is enhanced by photo-excitation

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Diamond and Related Materials

ISSN

0925-9635

e-ISSN

—

Svazek periodika

13

Číslo periodika v rámci svazku

-

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

713-717

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—